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發(fā)光器件和發(fā)光器件封裝件

發(fā)明專利有效專利
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    CN201410468589.8
  • IPC分類號:H01L33/36;H01L33/02;H01L33/62
  • 申請日期:
    2010-12-09
  • 申請人:
    LG伊諾特有限公司
著錄項信息
專利名稱發(fā)光器件和發(fā)光器件封裝件
申請?zhí)?/td>CN201410468589.8申請日期2010-12-09
法律狀態(tài)暫無申報國家中國
公開/公告日2014-12-24公開/公告號CN104241484A
優(yōu)先權暫無優(yōu)先權號暫無
主分類號H01L33/36IPC分類號H;0;1;L;3;3;/;3;6;;;H;0;1;L;3;3;/;0;2;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2查看分類表>
申請人LG伊諾特有限公司申請人地址
江蘇省蘇州市太倉市常勝北路168號 變更 專利地址、主體等相關變化,請及時變更,防止失效
權利人蘇州樂琻半導體有限公司當前權利人蘇州樂琻半導體有限公司
發(fā)明人丁煥熙;李尚烈;宋俊午;崔光基
代理機構北京集佳知識產權代理有限公司代理人顧晉偉;鄭斌
摘要
根據(jù)一個實施方案的發(fā)光器件包括:導電支撐襯底;在所述導電支撐襯底上接合層;在所述接合層上的反射層;在所述反射層上的歐姆接觸層;在所述歐姆接觸層上的電流阻擋層;在所述接合層上的周邊部分處的保護層;在所述電流阻擋層、所述歐姆接觸層和所述保護層上的發(fā)光結構層;以及在所述發(fā)光結構層上與所述電流阻擋層和所述保護層至少部分交疊的電極,其中所述保護層由導電率低于所述歐姆接觸層或所述反射層的材料、電絕緣材料或與所述發(fā)光結構層肖特基接觸的材料制成。

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