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低剖面二維寬角掃描圓極化相控陣天線

發(fā)明專利有效專利
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    CN202010129821.0
  • IPC分類號:H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q21/24
  • 申請日期:
    2020-02-28
  • 申請人:
    西南電子技術研究所(中國電子科技集團公司第十研究所)
著錄項信息
專利名稱低剖面二維寬角掃描圓極化相控陣天線
申請?zhí)?/td>CN202010129821.0申請日期2020-02-28
法律狀態(tài)實質審查申報國家中國
公開/公告日2020-06-23公開/公告號CN111326852A
優(yōu)先權暫無優(yōu)先權號暫無
主分類號H01Q1/36IPC分類號H;0;1;Q;1;/;3;6;;;H;0;1;Q;1;/;3;8;;;H;0;1;Q;1;/;4;8;;;H;0;1;Q;1;/;5;0;;;H;0;1;Q;2;1;/;2;4查看分類表>
申請人西南電子技術研究所(中國電子科技集團公司第十研究所)申請人地址
四川省成都市金牛區(qū)茶店子東街48號 變更 專利地址、主體等相關變化,請及時變更,防止失效
權利人西南電子技術研究所(中國電子科技集團公司第十研究所)當前權利人西南電子技術研究所(中國電子科技集團公司第十研究所)
發(fā)明人楊國慶;杏晨;羅鑫;何慶強;陳軍全
代理機構成飛(集團)公司專利中心代理人郭純武
摘要
本發(fā)明公開的一種低剖面二維寬角掃描圓極化相控陣天線,旨在提供一種易集成,具備良好寬角掃描增益特性和圓極化特性的天線結構。本發(fā)明通過下述技術方案予以實現(xiàn):每個3D結構天線單元通過一個環(huán)形輻射器和圓極化貼片開槽輻射器之間周向圓陣排列的金屬柱構成二維寬角掃描圓極化相控陣天線的陣列單元;每個3D結構天線單元均通過固聯(lián)在圓極化開槽貼片輻射器下面的饋電柱固定在上層介質板的二維層面上,饋電柱貫穿下層介質板,向上連接環(huán)形輻射器,向下連接饋電基座盤,相鄰四個3D結構天線單元采用觸碰式饋電,按順序旋轉90°的布陣方式組成2×2矩形排布子陣,并且四個饋電基座盤按順時針依次滯后90°進行饋電,獲得最佳的右旋圓極化性能。

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