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介質(zhì)分隔式半導(dǎo)體器件

發(fā)明專利無效專利
  • 申請?zhí)枺?/span>
    CN98122333.8
  • IPC分類號：--
  • 申請日期：
    1998-11-12
  • 申請人：
    日本電氣株式會社
著錄項信息
專利名稱介質(zhì)分隔式半導(dǎo)體器件
申請?zhí)?/td>CN98122333.8申請日期1998-11-12
法律狀態(tài)權(quán)利終止申報國家中國
公開/公告日1999-06-02公開/公告號CN1218296
優(yōu)先權(quán)暫無優(yōu)先權(quán)號暫無
主分類號暫無IPC分類號暫無查看分類表>
申請人日本電氣株式會社申請人地址
日本神奈川縣川崎市 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人恩益禧電子股份有限公司當(dāng)前權(quán)利人恩益禧電子股份有限公司
發(fā)明人小林研也
代理機構(gòu)中國專利代理（香港）有限公司代理人傅康;陳景峻
摘要
將第一和第二P-型半導(dǎo)體襯底通過在其間夾上一絕緣膜膠合起來，構(gòu)成SOI襯底。在P型SOI層中兩襯底的表面形成溝道分隔區(qū)，供選擇各元件用，從而通過用氧化膜埋設(shè)溝道將元件形成區(qū)封閉起來。在此由介電區(qū)分隔的元件形成區(qū)中形成具有P+型漏極擴散層和P-型漏極擴散層的MOS晶體管。向由溝道分隔區(qū)所封閉的元件形成區(qū)外的P+擴散層連接的電極和漏極擴散層上加同樣的電位。這樣做的結(jié)果是，無需在SOI襯底背面形成電極就可以避免耐壓變差。

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