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導(dǎo)電橋半導(dǎo)體器件及其制備方法

發(fā)明專利有效專利
  • 申請(qǐng)?zhí)枺?/span>
    CN201710115553.5
  • IPC分類號(hào)：H01L27/11524;H01L29/06
  • 申請(qǐng)日期：
    2017-02-28
  • 申請(qǐng)人：
    中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
著錄項(xiàng)信息
專利名稱導(dǎo)電橋半導(dǎo)體器件及其制備方法
申請(qǐng)?zhí)?/td>CN201710115553.5申請(qǐng)日期2017-02-28
法律狀態(tài)授權(quán)申報(bào)國(guó)家中國(guó)
公開(kāi)/公告日2017-06-20公開(kāi)/公告號(hào)CN106876400A
優(yōu)先權(quán)暫無(wú)優(yōu)先權(quán)號(hào)暫無(wú)
主分類號(hào)H01L27/11524
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IPC結(jié)構(gòu)圖譜：
IPC分類號(hào)H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;4;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分類表>
申請(qǐng)人中國(guó)科學(xué)院微電子研究所申請(qǐng)人地址
北京市朝陽(yáng)區(qū)北土城西路3號(hào) 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化，請(qǐng)及時(shí)變更，防止失效
權(quán)利人中國(guó)科學(xué)院微電子研究所當(dāng)前權(quán)利人中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
發(fā)明人劉琦;趙曉龍;劉森;劉明;呂杭炳;龍世兵;王艷;伍法才
代理機(jī)構(gòu)中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司代理人暫無(wú)
摘要
本發(fā)明提供了一種導(dǎo)電橋半導(dǎo)體器件及其制備方法。該導(dǎo)電橋半導(dǎo)體器件自下而上包括下電極、阻變功能層、離子阻擋層和活性上電極，其中，離子阻擋層上開(kāi)設(shè)有供活性導(dǎo)電離子通過(guò)的孔洞?；诖私Y(jié)構(gòu)可以制備導(dǎo)電橋阻變存儲(chǔ)器以及導(dǎo)電橋選擇器，通過(guò)調(diào)控離子阻擋層孔洞的數(shù)量、直徑及密度，實(shí)現(xiàn)對(duì)基于導(dǎo)電橋的存儲(chǔ)器與選擇器的導(dǎo)電通路的精確調(diào)控。

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