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半導體元件及其制造方法

發(fā)明專利有效專利

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CN201711460739.0
IPC分類號：H01L27/11568;H01L29/10;H01L29/423
申請日期：
2017-12-28
申請人：
聯(lián)華電子股份有限公司

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法律信息

引證文獻

著錄項信息

專利名稱	半導體元件及其制造方法
申請?zhí)?/td>	CN201711460739.0	申請日期	2017-12-28
法律狀態(tài)	授權	申報國家	中國
公開/公告日	2019-07-05	公開/公告號	CN109979943A
優(yōu)先權	暫無	優(yōu)先權號	暫無
主分類號	H01L27/11568 ? IPC結構圖譜： H 電學 H9 電學 H01 基本電氣元件 H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導管、諧振器或波導型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機電諧振器入H03H；揚聲器、送話器、留聲機拾音器或類似的聲機電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設備的外殼或結構零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應用的電路中半導體器件的使用見該應用的小類）〔2〕 H01L27/00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多個單個固態(tài)器件組成的組裝件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的〔2〕 H01L27/04 其襯底為半導體的〔2〕 H01L27/10 在重復結構中包括有多個獨立組件的〔2〕 H01L27/105 包含場效應組件的〔5〕 H01L27/112 只讀存儲器結構的〔5〕 H01L27/115 電動編程只讀存儲器；其多步驟制造方法〔5，2006.01，2017.01〕 H01L27/11563 具有電荷俘獲柵極絕緣層的，例如，MNOS，NROM〔2017.01〕 H01L27/11568 以存儲器核心區(qū)為特征的（三維布置H01L 27/11578）〔2017.01〕	IPC分類號	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;6;8;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分類表>
申請人	聯(lián)華電子股份有限公司	申請人地址	中國臺灣新竹市變更專利地址、主體等相關變化，請及時變更，防止失效
權利人	聯(lián)華電子股份有限公司	當前權利人	聯(lián)華電子股份有限公司
發(fā)明人	曾暄君;蕭學鈞;張子云;黃啟政;施秉嘉
代理機構	北京市柳沈律師事務所	代理人	暫無

摘要

本發(fā)明公開一種半導體元件及其制造方法。所述半導體元件包括基底、多個隔離結構、電荷存儲層以及導體層。所述基底具有存儲器區(qū)與邏輯區(qū)。所述存儲器區(qū)的所述基底具有多個半導體鰭。所述隔離結構配置在所述基底中，以隔離所述半導體鰭。所述半導體鰭突出于所述隔離結構。所述電荷存儲層覆蓋所述半導體鰭。所述導體層橫越所述半導體鰭與所述隔離結構，使得所述電荷存儲層配置在所述導體層與所述半導體鰭之間。

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