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有機膜涂覆之圖形化的工藝方法

發(fā)明專利無效專利

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CN200910022457.1
IPC分類號：H01L51/56;B05D1/32
申請日期：
2009-05-12
申請人：
西安寶萊特光電科技有限公司

基礎信息

權利要求

說明書

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法律信息

引證文獻

著錄項信息

專利名稱	有機膜涂覆之圖形化的工藝方法
申請?zhí)?/td>	CN200910022457.1	申請日期	2009-05-12
法律狀態(tài)	撤回	申報國家	中國
公開/公告日	2009-11-11	公開/公告號	CN101577316
優(yōu)先權	暫無	優(yōu)先權號	暫無
主分類號	H01L51/56 ? IPC結構圖譜： H 電學 H9 電學 H01 基本電氣元件 H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導管、諧振器或波導型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機電諧振器入H03H；揚聲器、送話器、留聲機拾音器或類似的聲機電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設備的外殼或結構零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應用的電路中半導體器件的使用見該應用的小類）〔2〕 H01L51/20 （轉入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 專門適用于光發(fā)射的，如有機發(fā)光二極管（OLED）或聚合物發(fā)光器件（PLED）（有機半導體激光器入 H01S 5/36）〔8〕 H01L51/56 專門適用于制造或處理這種器件或其部件的方法或設備〔8〕	IPC分類號	H;0;1;L;5;1;/;5;6;;;B;0;5;D;1;/;3;2查看分類表>
申請人	西安寶萊特光電科技有限公司	申請人地址	陜西省西安市未央大學城陜西科技大學實驗樓2A一樓西段變更專利地址、主體等相關變化，請及時變更，防止失效
權利人	西安寶萊特光電科技有限公司	當前權利人	西安寶萊特光電科技有限公司
發(fā)明人	趙煒;馬介淵;付永山;吳靜;李翌輝
代理機構	西安新思維專利商標事務所有限公司	代理人	李罡

摘要

本發(fā)明涉及有機膜涂覆之圖形化的工藝方法。現有技術中，聚合物PLED有機膜的制備采用轉涂涂覆或打印的方法；但除去有機膜涂層的方法，目前多采用激光燒蝕；通過特定波長的激光，將有機膜涂層燒蝕蒸發(fā)，除去多余的有機膜，以實現有機膜涂層的圖形化；但是如果激光能量控制不當，有可能對膜底材料造成燒蝕損傷。本發(fā)明是以貼膜方式保護無需涂覆有機膜的區(qū)域，以實現有機膜涂覆之圖形化。其通過對無需涂膜區(qū)域的貼膜保護，有效克服現有涂膜方法的無選擇性和全覆蓋的缺點，避免使用激光燒蝕方法清除多余有機膜可能造成的對膜底材料的燒蝕損傷；另外，貼膜保護區(qū)域在貼膜被剝離之后基本無污染，對后續(xù)工藝沒有影響。

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