航.png/origine/0f6a94b4-6a53-4b94-aaeb-4bb81abe869d)
測.png/origine/a9485c85-19ac-4c1e-92b1-326e08a43366)
權(quán).png/origine/23a83bad-6c4d-44d0-8d0e-d3820225913f)
一種利用尾氣余熱的氨水吸收式制冷裝置發(fā)明專利
申請?zhí)枺篊N200510100910.8
LOC分類號:F25B15/04
IPC結(jié)構(gòu)圖譜：
- H電學(xué)
- H9電學(xué)
- H01基本電氣元件
- H01L半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導(dǎo)體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導(dǎo)管、諧振器或波導(dǎo)型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機電諧振器入H03H；揚聲器、送話器、留聲機拾音器或類似的聲機電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設(shè)備的外殼或結(jié)構(gòu)零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應(yīng)用的電路中半導(dǎo)體器件的使用見該應(yīng)用的小類）〔2〕
- H01L21/00專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備〔2，8〕
- H01L21/70由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造（由預(yù)制電組件組成的組裝件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕
- H01L21/77在公共襯底中或上面形成的由許多固態(tài)元件或集成電路組成的器件的制造或處理（電可編程只讀存儲器或其多步驟的制造方法入H01L27/115）〔6，2006.01，2017.01〕
- H01L21/78把襯底連續(xù)地分成多個獨立的器件（改變表面物理特性或者半導(dǎo)體形狀的切割入H01L 21/304）〔2，6〕
- H01L21/82制造器件，例如每一個由許多元件組成的集成電路〔2〕
- H01L21/822襯底是采用硅工藝的半導(dǎo)體的（H01L 21/8258優(yōu)先）〔6〕
- H01L21/8232場效應(yīng)工藝〔6〕
- H01L21/8234MIS工藝〔6〕
