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高質量單晶厚膜材料的異質外延生長方法

發(fā)明專利有效專利

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CN201010526918.1
IPC分類號：C30B25/16;C30B25/18
申請日期：
2010-10-30
申請人：
北京大學

基礎信息

權利要求

說明書

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法律信息

引證文獻

著錄項信息

專利名稱	高質量單晶厚膜材料的異質外延生長方法
申請?zhí)?/td>	CN201010526918.1	申請日期	2010-10-30
法律狀態(tài)	暫無	申報國家	中國
公開/公告日	2011-02-02	公開/公告號	CN101962803A
優(yōu)先權	暫無	優(yōu)先權號	暫無
主分類號	C30B25/16 ? IPC結構圖譜： C 化學；冶金 C2 冶金 C30 晶體生長〔3〕 C30B 單晶生長（用超高壓的，例如用于金剛石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分層；材料的區(qū)熔精煉（金屬或合金的區(qū)熔精煉入C22B）；具有一定結構的均勻多晶材料的制備（金屬鑄造，按同樣工藝或裝置的其他物質鑄造入B22D；塑料的加工入B29；改變金屬或合金的物理結構入C21D、C22F）；單晶或具有一定結構的均勻多晶材料；單晶或具有一定結構的均勻多晶材料之后處理（用于半導體器件或元件生產的入H01L）；其所用的裝置〔3〕 C30B25/00 反應氣體化學反應法的單晶生長，例如化學氣相沉積生長〔3〕 C30B25/02 外延層生長〔3〕 C30B25/16 控制或調節(jié)（一般的控制或調節(jié)入G05）〔3〕	IPC分類號	C;3;0;B;2;5;/;1;6;;;C;3;0;B;2;5;/;1;8查看分類表>
申請人	北京大學	申請人地址	變更專利地址、主體等相關變化，請及時變更，防止失效
權利人	北京大學東莞光電研究院	當前權利人	北京大學東莞光電研究院
發(fā)明人	杜彥浩;吳潔君;張國義;于彤軍;楊志堅;康香寧;賈傳宇;孫永健;羅偉科;劉鵬
代理機構	北京萬象新悅知識產權代理事務所（普通合伙）	代理人	賈曉玲

摘要

本發(fā)明公開一種高質量單晶厚膜材料的異質外延生長方法。該方法包括如下步驟：對襯底進行預處理；第一階段，實現應力有效釋放的漸變調制——工藝參數從高質量生長條件漸變到應力釋放生長條件；第二階段，實現外延材料質量提高的漸變調制——工藝參數從應力釋放條件漸變到高質量生長條件；以周期調制的方式連續(xù)重復第一階段和第二階段；生長材料達到預定厚度時停止生長；以及將材料的生長效果作為反饋，調整質量調制幅度參數，確定下次材料的生長條件。本發(fā)明解決了材料異質外延的兩個主要問題，兼顧了材料質量的提高和應力的有效釋放，并引入了控制參數質量調制幅度，實現對質量和應力的有效控制，能夠良好地實現高質量單晶厚膜材料的異質外延。

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