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一種高頻氮化鎵肖特基二極管外延片及其制備方法

發(fā)明專利有效專利

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CN202010841512.6
IPC分類號：H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329
申請日期：
2020-08-20
申請人：
中國電子科技集團公司第五十五研究所

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法律信息

引證文獻

著錄項信息

專利名稱	一種高頻氮化鎵肖特基二極管外延片及其制備方法
申請?zhí)?/td>	CN202010841512.6	申請日期	2020-08-20
法律狀態(tài)	實質(zhì)審查	申報國家	中國
公開/公告日	2020-12-11	公開/公告號	CN112071897A
優(yōu)先權(quán)	暫無	優(yōu)先權(quán)號	暫無
主分類號	H01L29/06 ? IPC結(jié)構(gòu)圖譜： H 電學 H9 電學 H01 基本電氣元件 H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導管、諧振器或波導型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機電諧振器入H03H；揚聲器、送話器、留聲機拾音器或類似的聲機電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設(shè)備的外殼或結(jié)構(gòu)零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應(yīng)用的電路中半導體器件的使用見該應(yīng)用的小類）〔2〕 H01L29/00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05優(yōu)先；除半導體或其電極之外的零部件入H01L 23/00；由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件組成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半導體本體的特征區(qū)分的〔2〕 H01L29/06 按其形狀區(qū)分的；按各半導體區(qū)域的形狀、相對尺寸或配置區(qū)分的〔2〕	IPC分類號	H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;8;7;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分類表>
申請人	中國電子科技集團公司第五十五研究所	申請人地址	江蘇省南京市秦淮區(qū)中山東路524號變更專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人	中國電子科技集團公司第五十五研究所	當前權(quán)利人	中國電子科技集團公司第五十五研究所
發(fā)明人	李傳皓;李忠輝;潘傳奇
代理機構(gòu)	南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司	代理人	暫無

摘要

本發(fā)明公開了一種高頻氮化鎵肖特基二極管外延片及其制備方法，所述高頻氮化鎵肖特基二極管外延片的結(jié)構(gòu)從下往上依次包括襯底層、AlN成核層、InAlN成核層、下層非故意摻雜GaN層、上層非故意摻雜GaN層、n+?GaN重摻層和AlGaN極化輕摻層。本方案在AlN成核層中引入源的分時輸運工藝，促進AlN成核島的橫向合并，顯著提升外延材料的晶體質(zhì)量，同時引入晶格常數(shù)更大的InAlN成核層，并通過InAlN成核層、AlN成核層和上層非故意摻雜GaN層的壓應(yīng)力補償，有效補償?shù)鬾+?GaN重摻層生長及降溫期間的張應(yīng)力增量，實現(xiàn)了對圓片應(yīng)力的有效控制。因此，能夠大幅增加n+?GaN重摻層的摻雜濃度，有效降低GaN SBD的寄生串聯(lián)電阻、提升GaN SBD等高頻器件的截止頻率和工作效率。

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