加載中...
首頁專利查詢專利詳情

*來源于國家知識產(chǎn)權(quán)局數(shù)據(jù)，僅供參考，實際以國家知識產(chǎn)權(quán)局展示為準

內(nèi)含調(diào)制摻雜局域電場的半導體紅外探測器及其調(diào)控方法

發(fā)明專利有效專利
  • 申請?zhí)枺?/span>
    CN202110397983.7
  • IPC分類號：H01L31/0352;H01L31/108
  • 申請日期：
    2021-04-13
  • 申請人：
    清華大學
著錄項信息
專利名稱內(nèi)含調(diào)制摻雜局域電場的半導體紅外探測器及其調(diào)控方法
申請?zhí)?/td>CN202110397983.7申請日期2021-04-13
法律狀態(tài)實質(zhì)審查申報國家中國
公開/公告日2021-07-16公開/公告號CN113130682A
優(yōu)先權(quán)暫無優(yōu)先權(quán)號暫無
主分類號H01L31/0352
?
IPC結(jié)構(gòu)圖譜：
IPC分類號H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;0;8查看分類表>
申請人清華大學申請人地址
北京市海淀區(qū)清華園1號 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人清華大學當前權(quán)利人清華大學
發(fā)明人郝智彪;趙若晨;汪萊;羅毅
代理機構(gòu)中科專利商標代理有限責任公司代理人李永葉
摘要
本公開提供了一種內(nèi)含調(diào)制摻雜局域電場的半導體紅外探測器及其調(diào)控方法，上述探測器包括：襯底；以及自下而上依次形成于上述襯底之上的下電極層、多量子阱有源層和上電極層。上述多量子阱有源層包括多個交替層疊的勢壘層和勢阱層，其中至少一個勢壘層和/或勢阱層為調(diào)制摻雜層，從而形成用于調(diào)控電子能態(tài)的局域電場。通過在多量子阱有源層中引入調(diào)制摻雜層，基于調(diào)制摻雜層的引入能夠在空間上使得空穴或電子載流子與負離子實、正離子實對應分離，從而在量子阱中形成較強的局域電場，進而基于該局域電場實現(xiàn)量子阱中電子能態(tài)的調(diào)控，以提高量子阱中光生電子的抽取效率，從而提高紅外探測器的整體效率。

我瀏覽過的專利

    專利服務由北京酷愛智慧知識產(chǎn)權(quán)代理公司提供