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發(fā)光裝置

發(fā)明專利有效專利

申請?zhí)枺?/span>
CN200680047280.5
IPC分類號：H01L33/00
申請日期：
2006-12-15
申請人：
首爾半導(dǎo)體株式會社

基礎(chǔ)信息

權(quán)利要求

說明書

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法律信息

引證文獻(xiàn)

著錄項信息

專利名稱	發(fā)光裝置
申請?zhí)?/td>	CN200680047280.5	申請日期	2006-12-15
法律狀態(tài)	授權(quán)	申報國家	中國
公開/公告日	2008-12-24	公開/公告號	CN101331621
優(yōu)先權(quán)	暫無	優(yōu)先權(quán)號	暫無
主分類號	H01L33/00 ? IPC結(jié)構(gòu)圖譜： H 電學(xué) H9 電學(xué) H01 基本電氣元件 H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導(dǎo)體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導(dǎo)管、諧振器或波導(dǎo)型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機電諧振器入H03H；揚聲器、送話器、留聲機拾音器或類似的聲機電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設(shè)備的外殼或結(jié)構(gòu)零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應(yīng)用的電路中半導(dǎo)體器件的使用見該應(yīng)用的小類）〔2〕 H01L33/00 至少有一個電位躍變勢壘或表面勢壘的專門適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件（H01L 51/00優(yōu)先；由在一個公共襯底中或其上形成有多個半導(dǎo)體組件并包括具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，專門適用于光發(fā)射的器件入H01L 27/15；半導(dǎo)體激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分類號	H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分類表>
申請人	首爾半導(dǎo)體株式會社	申請人地址	韓國首爾市變更專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人	首爾半導(dǎo)體株式會社	當(dāng)前權(quán)利人	首爾半導(dǎo)體株式會社
發(fā)明人	岡朵拉·羅夫;瓦特·涂斯;李貞勛
代理機構(gòu)	北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司	代理人	韓明星;李友佳

摘要

本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置包括：至少一個發(fā)光二極管，發(fā)射處于預(yù)定波長區(qū)的光；銅-堿土金屬類無機混晶，由稀土激活，銅-堿土金屬類無機混晶包括銅-堿土硅酸鹽磷光體，銅-堿土硅酸鹽磷光體設(shè)置在發(fā)光二極管周圍，吸收從發(fā)光二極管發(fā)射的光的一部分，且發(fā)射波長與所吸收的光的波長不同的光。

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