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Li2In2SiS6化合物、Li2In2SiS6非線性光學(xué)晶體及制法和用途

發(fā)明專利有效專利
  • 申請?zhí)枺?/span>
    CN201210048486.7
  • IPC分類號：C30B29/46;C04B35/547;C04B11/00;G02F1/355
  • 申請日期：
    2012-02-27
  • 申請人：
    中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所
著錄項信息
專利名稱Li2In2SiS6化合物、Li2In2SiS6非線性光學(xué)晶體及制法和用途
申請?zhí)?/td>CN201210048486.7申請日期2012-02-27
法律狀態(tài)授權(quán)申報國家中國
公開/公告日2013-09-11公開/公告號CN103290480A
優(yōu)先權(quán)暫無優(yōu)先權(quán)號暫無
主分類號C30B29/46IPC分類號C;3;0;B;2;9;/;4;6;;;C;0;4;B;3;5;/;5;4;7;;;C;0;4;B;1;1;/;0;0;;;G;0;2;F;1;/;3;5;5查看分類表>
申請人中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所申請人地址
北京市海淀區(qū)中關(guān)村北一條2號 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所當(dāng)前權(quán)利人中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所
發(fā)明人姚吉勇;尹文龍;馮凱;郝文鈺;傅佩珍;吳以成
代理機(jī)構(gòu)北京法思騰知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司代理人楊小蓉;楊青
摘要
本發(fā)明涉及Li2In2SiS6化合物、Li2In2SiS6非線性光學(xué)晶體及制法和用途；該Li2In2SiS6化合物采用固相反應(yīng)制備；Li2In2SiS6非線性光學(xué)晶體采用高溫熔體自發(fā)結(jié)晶法或坩堝下降法生長；在該Li2In2SiS6非線性光學(xué)晶體的生長中晶體易長大且透明無包裹，具有生長速度較快，成本低，容易獲得較大尺寸晶體等優(yōu)點；所得Li2In2SiS6非線性光學(xué)晶體具有比較寬的透光波段，硬度較大，機(jī)械性能好，不易碎裂和潮解，易于加工和保存等優(yōu)點；該Li2In2SiS6非線性光學(xué)晶體可用于制作非線性光學(xué)器件。

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