首頁專利查詢專利詳情

*來源于國家知識產權局數據，僅供參考，實際以國家知識產權局展示為準

半導體結構的形成方法、晶體管的形成方法

發(fā)明專利有效專利

申請?zhí)枺?/span>
CN201210122579.X
IPC分類號：H01L21/336;H01L21/28
申請日期：
2012-04-24
申請人：
中芯國際集成電路制造（上海）有限公司

基礎信息

權利要求

說明書

PDF全文

法律信息

引證文獻

著錄項信息

專利名稱	半導體結構的形成方法、晶體管的形成方法
申請?zhí)?/td>	CN201210122579.X	申請日期	2012-04-24
法律狀態(tài)	授權	申報國家	暫無
公開/公告日	2013-10-30	公開/公告號	CN103377937A
優(yōu)先權	暫無	優(yōu)先權號	暫無
主分類號	H01L21/336 ? IPC結構圖譜： H 電學 H9 電學 H01 基本電氣元件 H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導管、諧振器或波導型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機電諧振器入H03H；揚聲器、送話器、留聲機拾音器或類似的聲機電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設備的外殼或結構零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應用的電路中半導體器件的使用見該應用的小類）〔2〕 H01L21/00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備〔2，8〕 H01L21/02 半導體器件或其部件的制造或處理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一個躍變勢壘或表面勢壘的器件，例如PN結、耗盡層、載體集結層〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有雜質的AⅢBⅤ族化合物構成的半導體，如摻雜材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造單極型器件的臺階式工藝〔5〕 H01L21/335 場效應晶體管〔5〕 H01L21/336 帶有絕緣柵的〔5〕	IPC分類號	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分類表>
申請人	中芯國際集成電路制造（上海）有限公司	申請人地址	上海市浦東新區(qū)張江路18號變更專利地址、主體等相關變化，請及時變更，防止失效
權利人	中芯國際集成電路制造（上海）有限公司	當前權利人	中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
發(fā)明人	劉佳磊
代理機構	北京集佳知識產權代理有限公司	代理人	駱蘇華

摘要

一種半導體結構的形成方法、一種晶體管的形成方法，其中所述半導體結構的形成方法包括：提供半導體襯底，所述半導體襯底的材料為硅，在所述半導體襯底表面形成半導體層，在所述半導體層表面形成硬掩膜層；刻蝕所述硬掩膜層、半導體層和半導體襯底形成若干溝槽；在形成所述溝槽后，去除所述硬掩膜層；在去除硬掩膜層后，對所述半導體襯底和半導體層進行熱氧化，使相鄰溝槽之間的半導體襯底被完全氧化，在所述溝槽內表面和半導體層頂部形成氧化層；在熱氧化后，去除所述氧化層，形成懸空于所述半導體襯底的納米線。本發(fā)明所述半導體結構的形成方法節(jié)約成本，所形成的納米線易與基于硅襯底的其他半導體器件集成。

我瀏覽過的專利

專利服務由北京酷愛智慧知識產權代理公司提供

<button id="5lhm0"><big id="5lhm0"></big></button>

<label id="5lhm0"><table id="5lhm0"><dfn id="5lhm0"></dfn></table></label>