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一種基于電流驅(qū)動技術反場位形結構的高密度等離子體射流發(fā)生裝置

發(fā)明專利有效專利
  • 申請?zhí)枺?/span>
    CN201910625548.8
  • IPC分類號:H05H1/30
  • 申請日期:
    2019-07-11
  • 申請人:
    哈爾濱工業(yè)大學
著錄項信息
專利名稱一種基于電流驅(qū)動技術反場位形結構的高密度等離子體射流發(fā)生裝置
申請?zhí)?/td>CN201910625548.8申請日期2019-07-11
法律狀態(tài)授權申報國家中國
公開/公告日2019-10-15公開/公告號CN110337170A
優(yōu)先權暫無優(yōu)先權號暫無
主分類號H05H1/30IPC分類號H;0;5;H;1;/;3;0查看分類表>
申請人哈爾濱工業(yè)大學申請人地址
黑龍江省哈爾濱市南崗區(qū)西大直街92號 變更 專利地址、主體等相關變化,請及時變更,防止失效
權利人哈爾濱工業(yè)大學當前權利人哈爾濱工業(yè)大學
發(fā)明人張仲麟;孫宇飛
代理機構哈爾濱市松花江專利商標事務所代理人于歌
摘要
一種基于電流驅(qū)動技術反場位形結構的高密度等離子體射流發(fā)生裝置,屬于低溫等離子體的應用技術領域,本發(fā)明為解決射頻感應耦合等離子體源在模式轉(zhuǎn)換時存在不穩(wěn)定放電階段,導致等離子密度、電子能量分布、氣體宏觀溫度以及均勻性很難同時滿足要求的問題。本發(fā)明包括圓臺型的石英腔體;石英腔體沿軸向分成兩部分,靠近小端口的首端區(qū)域為等離子體產(chǎn)生區(qū),靠近大端口的尾端區(qū)域為等離子體加速區(qū);工作氣體在等離子體產(chǎn)生區(qū)被擊穿生成種子電子,所述種子電子在旋轉(zhuǎn)磁場作用下生成高密度等離子體;所述等離子被拉伸至等離子體加速區(qū)進行加速形成等離子體射流,并向真空腔氣室噴射。

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