具有導(dǎo)熱基板的發(fā)光二極管及其制造方法

1.一種發(fā)光二極管，包括：
導(dǎo)熱的絕緣基板，所述導(dǎo)熱的絕緣基板的導(dǎo)熱性高于藍(lán)寶石基板的導(dǎo)熱性；
多個(gè)金屬圖案，在所述絕緣基板上彼此間隔；
發(fā)光單元，位于相應(yīng)的所述金屬圖案上的區(qū)域內(nèi)，各所述發(fā)光單元包括P型半導(dǎo)體層、主動(dòng)層以及N型半導(dǎo)體層；以及
金屬配線，用于將所述發(fā)光單元的上表面電連接到相鄰的金屬圖案，
其中，所述金屬配線直接接觸所述相鄰的金屬圖案，
各所述金屬圖案包括第一金屬層和位于第一金屬層與導(dǎo)熱的絕緣基板之間的第二金屬層，第一金屬層包括用于反射發(fā)光單元產(chǎn)生的光的反射金屬層和用于向?qū)岬慕^緣基板傳導(dǎo)發(fā)光單元產(chǎn)生的熱的導(dǎo)熱金屬層，第二金屬層將第一金屬層結(jié)合到導(dǎo)熱的絕緣基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中各所述發(fā)光單元的所述P型半導(dǎo)體層與各所述金屬圖案接觸，并且各所述發(fā)光單元的所述N型半導(dǎo)體層的表面定義所述發(fā)光單元的上表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，更包括形成于各所述發(fā)光單元的所述N型半導(dǎo)體層上并連接到各所述金屬配線的電極焊墊。
4.一種制造發(fā)光二極管的方法，包括：
在第一基板上形成半導(dǎo)體層，并在所述半導(dǎo)體層上形成第一金屬層，所述半導(dǎo)體層包括緩沖層、N型半導(dǎo)體層、主動(dòng)層以及P型半導(dǎo)體層；
在第二導(dǎo)熱的絕緣基板上形成第二金屬層，所述第二導(dǎo)熱的絕緣基板的導(dǎo)熱性高于藍(lán)寶石基板的導(dǎo)熱性；
結(jié)合所述第一和第二金屬層，使得第一金屬層和第二金屬層彼此面對；
從所述半導(dǎo)體層分離所述第一基板；
圖案化所述半導(dǎo)體層和第一金屬層以及第二金屬層，以便形成彼此間隔的金屬圖案以及位于相應(yīng)的所述金屬圖案上的區(qū)域內(nèi)的發(fā)光單元；以及
形成將所述發(fā)光單元的上表面連接到相鄰的金屬圖案的金屬配線，所述金屬配線直接接觸所述相鄰的金屬圖案，
其中，各所述金屬圖案包括通過圖案化第一金屬層形成的第一金屬圖案和通過圖案化第二金屬層形成的第二金屬圖案，第二金屬圖案位于第一金屬圖案與第二導(dǎo)熱的絕緣基板之間，第一金屬圖案包括用于反射發(fā)光單元產(chǎn)生的光的反射金屬圖案和用于向第二導(dǎo)熱的絕緣基板傳導(dǎo)發(fā)光單元產(chǎn)生的熱的導(dǎo)熱金屬圖案，第二金屬圖案將第一金屬圖案結(jié)合到第二導(dǎo)熱的絕緣基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述P型半導(dǎo)體層與所述第一金屬層歐姆接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，更包括在分離所述第一基板之后移除所述緩沖層，以暴露所述N型半導(dǎo)體層。

具有導(dǎo)熱基板的發(fā)光二極管及其制造方法\n技術(shù)領(lǐng)域\n[0001] 本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管及其制造方法，并且特別是涉及一種具有導(dǎo)熱基板的發(fā)光二極管及其制造方法。\n背景技術(shù)\n[0002] 發(fā)光二極管(light emitting diode，LED)是一種電發(fā)光器件，其具有N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體結(jié)合到一起的結(jié)構(gòu)，并通過電子和空穴的重組(recombination)進(jìn)行發(fā)光。\n這種LED已經(jīng)廣泛地用于顯示器以及背光系統(tǒng)(backlight)。此外，由于LED與傳統(tǒng)的電燈泡或熒光燈相比，其具有更低的電力消耗以及更長的使用壽命，其應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)擴(kuò)展代替?zhèn)鹘y(tǒng)的白熾燈和熒光燈而進(jìn)行普通照明。\n[0003] LED在AC電源下根據(jù)電流方向而反復(fù)開/關(guān)。因而，如果將LED直接連接到AC電源進(jìn)行使用，則存在它不能持續(xù)地發(fā)光并且容易被反向電流中斷的問題。\n[0004] 為了解決LED的上述問題，在SAKAI等人的標(biāo)題為“具有發(fā)光元件的發(fā)光器件”的國際公開第WO2004/023568A1號中提議了一種可直接連接到高壓AC電源而進(jìn)行使用的LED。\n[0005] 根據(jù)WO2004/023568A1的公開內(nèi)容，LED以二維方式串聯(lián)連接于絕緣基板(例如，藍(lán)寶石基板)上，以形成LED陣列。兩個(gè)LED陣列反向并聯(lián)連接于藍(lán)寶石基板上。結(jié)果，提供了一種可通過AC電源驅(qū)動(dòng)的單芯片式發(fā)光器件。\n[0006] 然而，由于藍(lán)寶石基板具有較低的導(dǎo)熱性，熱量無法順利地消散。這種熱消散的局限性導(dǎo)致了發(fā)光器件的最大光功率的局限性。因而，需要改良熱耗散屬性，以便增加在高壓AC電源下使用的發(fā)光器件的最大光功率。\n[0007] 此外，由于發(fā)光器件中的LED陣列在AC電源下交替操作，因此與發(fā)光單元同時(shí)操作的情況相比，光功率受到了相當(dāng)大的限制。結(jié)果，為了增加最大光功率，必須改良各發(fā)光單元的光提取效率。\n發(fā)明內(nèi)容\n[0008] 因此，本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光二極管，其能夠在AC電源下進(jìn)行驅(qū)動(dòng)并且具有改良的熱耗散屬性。\n[0009] 本發(fā)明的另一目的是提供一種具有改良光提取效率的發(fā)光二極管。\n[0010] 本發(fā)明的再一目的是提供一種具有改良的熱耗散屬性和/或改良的光提取效率的發(fā)光二極管的制造方法。\n[0011] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種具有導(dǎo)熱基板的發(fā)光二極管及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明一方面的發(fā)光二極管包括導(dǎo)熱的絕緣基板(thermalconductive insulating substrate)。多個(gè)金屬圖案在絕緣基板上彼此間隔，并且發(fā)光單元位于相應(yīng)的金屬圖案上的區(qū)域內(nèi)。各發(fā)光單元包括P型半導(dǎo)體層、主動(dòng)層以及N型半導(dǎo)體層。同時(shí)，金屬配線將發(fā)光單元的上表面電連接到相鄰的金屬圖案上。由于發(fā)光單元在導(dǎo)熱基板上進(jìn)行操作，發(fā)光二極管的熱耗散屬性得到了改良。\n[0012] 此處，導(dǎo)熱的絕緣基板是指導(dǎo)熱性高于藍(lán)寶石基板的絕緣基板。進(jìn)一步，絕緣基板包括半絕緣基板，例如半絕緣SiC基板。術(shù)語“半絕緣”材料是指高阻材料，其電阻率\n5\n(specific resistance)在室溫下通常是大約10Ω·cm或者更大。\n[0013] 主動(dòng)層介于P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層之間，并且發(fā)光單元的P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層的位置可以互換。優(yōu)選地，各發(fā)光單元的P型半導(dǎo)體層與各金屬圖案接觸，并且發(fā)光單元的N型半導(dǎo)體層的表面定義發(fā)光單元的上表面。N型半導(dǎo)體層的表面可進(jìn)行粗糙化處理。由于N型半導(dǎo)體層的表面可進(jìn)行粗糙化處理，光的內(nèi)部全反射(total internal reflection)降低，并因而增加了發(fā)光二極管的光提取效率。\n[0014] 各金屬圖案可包括彼此結(jié)合的至少兩個(gè)金屬層。例如，金屬層可包括金屬反射層(例如Ag)以及金屬導(dǎo)熱層(例如Au)，并且可以包括Au和Sn的合金。反射金屬層使從發(fā)光單元發(fā)射的光在其上朝發(fā)光單元的上表面反射，由此改良光輸出。\n[0015] 根據(jù)本發(fā)明另一方面的發(fā)光二極管的制造方法包括：在第一基板上形成半導(dǎo)體層，并在半導(dǎo)體層上形成第一金屬層，半導(dǎo)體層包括緩沖層、N型半導(dǎo)體層、主動(dòng)層以及P型半導(dǎo)體層。進(jìn)一步，在與第一基板分離的第二導(dǎo)熱的絕緣基板上形成第二金屬層。第一基板的第一金屬層與第二基板的第二金屬層相結(jié)合，使得第一和第二金屬層彼此面對。隨后，從半導(dǎo)體層分離第一基板，并且圖案化半導(dǎo)體層和金屬層，以形成彼此間隔的金屬圖案以及位于相應(yīng)金屬圖案上的區(qū)域內(nèi)的發(fā)光單元。之后，形成金屬配線以便將發(fā)光單元的上表面連接到相鄰的金屬圖案。因此，可以制造出一種具有導(dǎo)熱基板的發(fā)光二極管，其導(dǎo)熱基板具有改良的熱耗散屬性。\n[0016] 主動(dòng)層介于P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層之間，并且P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層的位置可以互換。優(yōu)選地，P型半導(dǎo)體層與第一金屬層歐姆接觸。此外，在分離第一基板之后，移除緩沖層以便暴露N型半導(dǎo)體層。\n[0017] 對暴露的N型半導(dǎo)體層的表面進(jìn)行粗糙化處理以便改良光提取效率。\n[0018] 例如，使用光電化學(xué)(photoelectrochemical，PEC)蝕刻技術(shù)來執(zhí)行暴露的N型半導(dǎo)體層表面的粗糙化處理。此外，粗糙化暴露的N型半導(dǎo)體層的表面包括在暴露的N型半導(dǎo)體層上形成金屬層。對金屬層進(jìn)行熱處理，以便形成金屬島狀物，并且使用金屬島狀物作為蝕刻掩模，對N型半導(dǎo)體層進(jìn)行部分蝕刻。因此，形成具有粗糙表面的N型半導(dǎo)體層。\n[0019] 根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種能夠在AC電源下驅(qū)動(dòng)并具有改良的熱耗散屬性的發(fā)光二極管。進(jìn)一步，可以提供一種具有改良的光提取效率的發(fā)光二極管。此外，可以提供一種具有改良的熱耗散屬性和/或改良的光提取效率的發(fā)光二極管的制造方法。\n附圖說明\n[0020] 圖1是示意根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管的截面圖。\n[0021] 圖2至圖6是示意根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管的制造方法的截面圖。\n[0022] 圖7至圖10是示意根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管的制造方法的截面圖。\n具體實(shí)施方式\n[0023] 在下文中將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。提供后續(xù)實(shí)施例僅是出于示意性目的，使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠完全地理解本發(fā)明的精神。因而，本發(fā)明不限于后續(xù)實(shí)施例，而是可以通過其它形式來實(shí)現(xiàn)。在附圖中，為了便于理解，夸大了元件的寬度、長度、厚度以及類似尺寸。在整個(gè)說明書和附圖中，相似的附圖標(biāo)號標(biāo)識相似的元件。\n[0024] 圖1是示意根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管的截面圖。\n[0025] 參照圖1，多個(gè)金屬圖案40在導(dǎo)熱的絕緣基板51上彼此間隔。對導(dǎo)熱的絕緣基板51沒有任何限制，只要其導(dǎo)熱性大于藍(lán)寶石基板。導(dǎo)熱的絕緣基板51可以是上表面形成有絕緣層的導(dǎo)電單晶基板。\n[0026] 各金屬圖案40包括至少兩個(gè)結(jié)合層，例如，第一金屬層31a和第二金屬層53a。進(jìn)一步，第一金屬層31a可包括反射金屬層和導(dǎo)熱金屬層。例如，反射金屬層可由Ag制成，而導(dǎo)熱金屬層可由Au或Au和Sn的合金制成。進(jìn)一步，第二金屬層可由例如Au或者Au和Sn的合金制成。\n[0027] 發(fā)光單元30位于各金屬圖案上的區(qū)域內(nèi)。發(fā)光單元30包括P型半導(dǎo)體層29a、主動(dòng)層27a以及N型半導(dǎo)體層25a。主動(dòng)層27a介于P型半導(dǎo)體層29a和N型半導(dǎo)體層25a之間。P型半導(dǎo)體層29a和N型半導(dǎo)體層25a的位置可以互換。\n[0028] N型半導(dǎo)體層25a由N型AlxInyGa1-x-yN(0≤x，y，x+y≤1)形成并且可包括N型襯層。此外，P型半導(dǎo)體層29a可由P型AlxInyGa1-x-yN(0≤x，y，x+y≤1)形成并包括P型襯層。N型半導(dǎo)體層25a可通過摻雜Si來形成，并且P型半導(dǎo)體層29a可通過摻雜Zn或Mg來形成。\n[0029] 主動(dòng)層27a是電子與空穴重組的區(qū)域，并且包括InGaN。發(fā)光單元所發(fā)射的光的波長由構(gòu)成主動(dòng)層27a的材料的種類決定。主動(dòng)層27a可以是多層膜，其中量子井層和阻擋層重復(fù)形成。阻擋層和量子井層可以是二元至四元化合物半導(dǎo)體層，其可以表示成通式：\nAlxInyGa1-x-yN(0≤x，y，x+y≤1)。\n[0030] 一般來說，緩沖層介于基板51和發(fā)光單元30之間。然而，在本發(fā)明的實(shí)施例中，介于基板51和發(fā)光單元30之間的是金屬層31a和53a，而不是緩沖層。\n[0031] 同時(shí)，金屬配線57用于將N型半導(dǎo)體層25a電連接到相鄰的金屬圖案40。此時(shí)，電極焊墊55形成于各N型半導(dǎo)體層25a上。電極焊墊55與N型半導(dǎo)體層25a歐姆接觸，以便降低它們的接觸電阻。因此，如圖所示，金屬配線57用于將電極焊墊55電連接到第一金屬層31a，由此使發(fā)光單元30彼此連接。金屬配線57形成具有串聯(lián)連接的發(fā)光單元30的陣列。具有串聯(lián)連接的發(fā)光單元的至少兩個(gè)陣列形成于基板51上并彼此反向并聯(lián)連接以便由AC電源驅(qū)動(dòng)。\n[0032] 圖10是示意根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管的截面圖。在本圖中，與圖1相同的附圖標(biāo)號標(biāo)識相同的元件。因此，僅具體地描述與圖1所示的實(shí)施例不同的細(xì)節(jié)。\n[0033] 參照圖10，根據(jù)本實(shí)施例的N型半導(dǎo)體層65a的上表面進(jìn)行粗糙化處理，這不同于圖1所示的N型半導(dǎo)體層25a的上表面。因此，發(fā)光單元70具有粗糙的上表面，使得在上表面上由于折射率差異所產(chǎn)生的內(nèi)部全反射降低，因而提高了發(fā)光單元的光提取效率。\n[0034] N型半導(dǎo)體層65a的整個(gè)表面都可以形成粗糙表面，并且電極焊墊75形成于粗糙表面的一部分上。此外，粗糙表面還可以選擇性形成于除N型半導(dǎo)體層65a的特定區(qū)域以外的另一區(qū)域內(nèi)，并且電極焊墊75形成于此特定區(qū)域上。金屬配線77用于將電極焊墊75連接至金屬圖案40，以便形成具有串聯(lián)連接的發(fā)光單元的陣列。\n[0035] 根據(jù)本實(shí)施例，可對N型半導(dǎo)體層65a的表面進(jìn)行粗糙化處理以改良從發(fā)光單元\n70向上發(fā)射的光的提取效率。\n[0036] 在下文中，將詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明各實(shí)施例的發(fā)光二極管的制造方法。\n[0037] 圖2至圖6是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光二極管的制造方法的截面圖。\n[0038] 參照圖2，包括緩沖層23、N型半導(dǎo)體層25、主動(dòng)層27以及P型半導(dǎo)體層29的半導(dǎo)體層形成于第一基板21上，并且第一金屬層31形成于半導(dǎo)體層上。\n[0039] 第一基板21優(yōu)選由允許光透過并與半導(dǎo)體層晶格匹配(lattice-match)的基板形成，例如藍(lán)寶石基板。\n[0040] 緩沖層23和半導(dǎo)體層25、27及29可通過以下方式形成：金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積(metal-organic chemical vapor deposition，MOCVD)、分子束外延(molecular beam epitaxy，MBE)、氫化物氣相外延(hydride vapor phaseepitaxy，HVPE)或類似工藝。\n進(jìn)一步，半導(dǎo)體層25、27以及29可在同一處理室中依序形成。\n[0041] 對緩沖層23沒有具體限制，只要緩沖層能夠減輕第一基板21和半導(dǎo)體層25、27及29之間的晶格失配(lattice mismatch)。例如，緩沖層可由無摻雜的GaN形成。\n[0042] 第一金屬層31由要與P型半導(dǎo)體層歐姆接觸的金屬形成。進(jìn)一步，第一金屬層31可包括反射金屬層和導(dǎo)熱金屬層。反射金屬層是具有高反射性的金屬層并且例如可由Ag形成，但并不具體局限于Ag。此外，導(dǎo)熱金屬層是具有高導(dǎo)熱性的金屬層。對導(dǎo)熱金屬層沒有具體限制，并且導(dǎo)熱金屬層可由Au或者Au和Sn的疊層(laminate)形成。\n[0043] 第二金屬層53形成于與第一基板21分開的第二基板51上。第二基板51是導(dǎo)熱性高于藍(lán)寶石基板的導(dǎo)熱的絕緣基板。\n[0044] 第二金屬層53傾向于金屬結(jié)合到第一金屬層31上。對第二金屬層沒有具體的限制，并且第二金屬層可由Au或者Au和Sn的疊層形成。\n[0045] 參照圖3，結(jié)合第一和第二金屬層31和53，使得它們彼此面對。通過施加特定的壓力和/或熱量很容易進(jìn)行這種結(jié)合。\n[0046] 隨后，將激光照射到第一基板21上。例如，激光可以是KrF(248nm)激光。由于第一基板21是透明基板，例如藍(lán)寶石基板，激光通過第一基板21并隨后被緩沖層23吸收。因此，所吸收的輻射能量使緩沖層23和第一基板21之間的交界處的緩沖層23分解，使得第一基板21從半導(dǎo)體層分離。\n[0047] 參照圖4，在第一基板21分離后，移除剩余的緩沖層23，使得N型半導(dǎo)體層25的表面暴露?？赏ㄟ^蝕刻和拋光技術(shù)來移除緩沖層23。\n[0048] 參照圖5，使用光刻(photolithography)和蝕刻技術(shù)對半導(dǎo)體層25、27及29和金屬層31及53進(jìn)行圖案化，以便形成彼此隔離的金屬圖案40以及位于相應(yīng)金屬圖案40上的區(qū)域內(nèi)的發(fā)光單元30。\n[0049] 發(fā)光單元30包括已經(jīng)通過圖案化形成的P型半導(dǎo)體層29a、主動(dòng)層27a以及N型半導(dǎo)體層25a?？梢詫雽?dǎo)體層25a、27a和29a圖案化成相同的形狀。\n[0050] 同時(shí)，由于第二基板51是絕緣基板，形成彼此間隔的金屬圖案40能夠使發(fā)光單元\n30彼此電隔離。\n[0051] 參照圖6，形成用于將發(fā)光單元30的上表面電連接到相鄰的金屬圖案40的金屬配線57。金屬配線57將發(fā)光單元30彼此連接以便形成具有串聯(lián)連接的發(fā)光單元的陣列。\n可形成至少兩個(gè)陣列，并且這些陣列彼此反向并聯(lián)連接以便提供可在AC電源下驅(qū)動(dòng)的發(fā)光二極管。\n[0052] 同時(shí)，在形成金屬配線之前，在N型半導(dǎo)體層25a上形成電極焊墊55。電極焊墊\n55與N型半導(dǎo)體層25a歐姆接觸。金屬配線57將電極焊墊55連接到金屬圖案40。\n[0053] 根據(jù)本實(shí)施例，提供了一種發(fā)光二極管，其具有位于導(dǎo)熱基板上的發(fā)光單元，使得其可以在AC電源下驅(qū)動(dòng)并具有改良的熱耗散屬性。同時(shí)，由于形成了金屬圖案40，可省略在P型半導(dǎo)體層29a上形成附加電極焊墊的過程。\n[0054] 同時(shí)，在本發(fā)明的實(shí)施例中，P型半導(dǎo)體層29和N型半導(dǎo)體層25能夠以相反順序形成。在這種情況下，在移除緩沖層23之后，可以在P型半導(dǎo)體層29上形成透明電極。\n[0055] 圖7至圖10是示意根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光二極管的制造方法的截面圖。\n[0056] 參照圖7，根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光二極管的制造方法所執(zhí)行的過程與參照圖2至圖4所描述的方法相同。因此，至少兩個(gè)金屬層31和53以結(jié)合狀態(tài)定位于第二基板51上，并且包括P型半導(dǎo)體層29、主動(dòng)層27以及N型半導(dǎo)體層25的半導(dǎo)體層定位于第一金屬層31上。\n[0057] 在本實(shí)施例中，P型半導(dǎo)體層29與第一金屬層31歐姆接觸，并且N型半導(dǎo)體層25的表面暴露。\n[0058] 參照圖8，對暴露的N型半導(dǎo)體層25的表面進(jìn)行粗糙化處理，以形成具有粗糙表面的N型半導(dǎo)體層65。例如，可通過光電化學(xué)(PEC)蝕刻技術(shù)對表面進(jìn)行粗糙化處理。在\n2004年2月9日出版并且標(biāo)題為“通過表面粗糙化處理增加基于GaN的發(fā)光二極管的提取效率”(Applied Physics Letters，Vol.84，No.6，pp 855-857)的文章中公開了通過PEC蝕刻技術(shù)來粗糙化N型半導(dǎo)體層的表面的工藝。根據(jù)該文章，可使用KOH溶液和Xe燈通過PEC蝕刻技術(shù)來粗糙化N型半導(dǎo)體層的表面，導(dǎo)致改良的光提取效率。\n[0059] 此外，可使用干蝕刻技術(shù)來執(zhí)行粗糙化N型半導(dǎo)體層25的表面的工藝。也就是，在N型半導(dǎo)體層25上形成金屬層。隨后，對金屬層進(jìn)行加熱，使得金屬層可形成為金屬島狀物。隨后，使用金屬島狀物作為蝕刻掩模來蝕刻N(yùn)型半導(dǎo)體層25，以便形成具有粗糙表面的N型半導(dǎo)體層65。使用濕蝕刻技術(shù)或類似工藝來移除剩余的金屬島狀物。\n[0060] 同時(shí)，在此過程中，通過使用掩模在N型半導(dǎo)體層65上的特定區(qū)域內(nèi)形成平坦部分。\n[0061] 參照圖9，與參照圖5所描述的一樣，使用光刻和蝕刻技術(shù)來圖案化半導(dǎo)體層65、\n27和29以及金屬層31和53，以便形成彼此間隔的金屬圖案40以及位于相應(yīng)金屬圖案40上的區(qū)域內(nèi)的發(fā)光單元70。\n[0062] 各發(fā)光單元70包括已經(jīng)通過圖案化處理的P型半導(dǎo)體層29a、主動(dòng)層27a以及N型半導(dǎo)體層65a?？蓪⑦@些半導(dǎo)體層65a，27a和29a圖案化成相同形狀。\n[0063] 參照圖10，與參照圖6所描述的一樣，金屬配線77形成為將發(fā)光單元70的上表面電連接到相鄰的金屬圖案40。進(jìn)一步，形成電極焊墊75。各電極焊墊75形成于N型半導(dǎo)體層65a上的平坦區(qū)域。如果平坦區(qū)域不形成于N型半導(dǎo)體層65a上，則電極焊墊75形成于N型半導(dǎo)體層65a的粗糙表面上。\n[0064] 根據(jù)本實(shí)施例，粗糙化發(fā)光單元70的上表面(即，N型半導(dǎo)體層的表面)，以便提供具有改良的光提取效率的發(fā)光二極管。