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半導(dǎo)體器件和制備半導(dǎo)體器件的方法

發(fā)明專利有效專利
  • 申請(qǐng)?zhí)枺?/span>
    CN201380004030.3
  • IPC分類號(hào)：H01L33/00;H01L21/31
  • 申請(qǐng)日期：
    2013-12-20
  • 申請(qǐng)人：
    華為技術(shù)有限公司
著錄項(xiàng)信息
專利名稱半導(dǎo)體器件和制備半導(dǎo)體器件的方法
申請(qǐng)?zhí)?/td>CN201380004030.3申請(qǐng)日期2013-12-20
法律狀態(tài)授權(quán)申報(bào)國(guó)家中國(guó)
公開/公告日2016-01-20公開/公告號(hào)CN105264674A
優(yōu)先權(quán)暫無(wú)優(yōu)先權(quán)號(hào)暫無(wú)
主分類號(hào)H01L33/00
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IPC結(jié)構(gòu)圖譜：
IPC分類號(hào)H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1查看分類表>
申請(qǐng)人華為技術(shù)有限公司申請(qǐng)人地址
廣東省深圳市龍崗區(qū)坂田華為總部辦公樓 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化，請(qǐng)及時(shí)變更，防止失效
權(quán)利人華為技術(shù)有限公司當(dāng)前權(quán)利人華為技術(shù)有限公司
發(fā)明人皇甫幼睿
代理機(jī)構(gòu)北京龍雙利達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司代理人毛威;張亮
摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件和制備半導(dǎo)體器件的方法。該半導(dǎo)體器件包括：第一硅層(110；210)；第一介質(zhì)層(120；220)，位于該第一硅層(110；210)上面，該第一介質(zhì)層(120；220)包含窗口(121；221)，該第一介質(zhì)層(120；220)的窗口(121；221)底部的橫向尺寸不超過20nm；III?V族半導(dǎo)體層(130；230)，位于該第一介質(zhì)層(120；220)上面以及該第一介質(zhì)層(120；220)的窗口(121；221)內(nèi)，并在該第一介質(zhì)層(120；220)的窗口(121；221)內(nèi)與該第一硅層(110；210)相連。本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中的III?V族半導(dǎo)體材料沒有線位錯(cuò)，因而具有較高的性能。

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