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一種全包圍柵結(jié)構(gòu)的形成方法

發(fā)明專利有效專利
  • 申請?zhí)枺?/span>
    CN201410652852.9
  • IPC分類號:H01L21/28
  • 申請日期:
    2014-11-17
  • 申請人:
    上海集成電路研發(fā)中心有限公司
著錄項信息
專利名稱一種全包圍柵結(jié)構(gòu)的形成方法
申請?zhí)?/td>CN201410652852.9申請日期2014-11-17
法律狀態(tài)授權(quán)申報國家中國
公開/公告日2015-03-04公開/公告號CN104392917A
優(yōu)先權(quán)暫無優(yōu)先權(quán)號暫無
主分類號H01L21/28IPC分類號H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分類表>
申請人上海集成電路研發(fā)中心有限公司申請人地址
上海市浦東新區(qū)張江高斯路497號 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化,請及時變更,防止失效
權(quán)利人上海集成電路研發(fā)中心有限公司當前權(quán)利人上海集成電路研發(fā)中心有限公司
發(fā)明人儲佳
代理機構(gòu)上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(特殊普通合伙)代理人吳世華;林彥之
摘要
本發(fā)明公開了一種全包圍柵結(jié)構(gòu)的形成方法,用于制作FinFET器件,通過采用平面工藝分步形成柵介質(zhì)、Fin及柵極,并使包圍Fin的柵極下端與襯底相連而形成全包圍柵結(jié)構(gòu)。由于柵介質(zhì)很薄,而柵極下端與襯底相連,因而使柵極仍能以全包圍的形式從四面有效地控制溝道。因此,本發(fā)明在保證所需要的器件特性的同時,解決了現(xiàn)有技術(shù)存在的工藝復雜、成本高的問題。本發(fā)明方法簡便,可與現(xiàn)有的集成電路平面工藝相兼容,具有成本低、易于實施等優(yōu)點。

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