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薄膜晶體管基板和顯示設(shè)備

發(fā)明專利有效專利
  • 申請(qǐng)?zhí)枺?/span>
    CN202011501932.6
  • IPC分類號(hào):H01L27/12;H01L27/32
  • 申請(qǐng)日期:
    2020-12-18
  • 申請(qǐng)人:
    三星顯示有限公司
著錄項(xiàng)信息
專利名稱薄膜晶體管基板和顯示設(shè)備
申請(qǐng)?zhí)?/td>CN202011501932.6申請(qǐng)日期2020-12-18
法律狀態(tài)公開申報(bào)國家中國
公開/公告日2021-07-16公開/公告號(hào)CN113130511A
優(yōu)先權(quán)暫無優(yōu)先權(quán)號(hào)暫無
主分類號(hào)H01L27/12
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IPC結(jié)構(gòu)圖譜:
IPC分類號(hào)H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;7;/;3;2查看分類表>
申請(qǐng)人三星顯示有限公司申請(qǐng)人地址
韓國京畿道龍仁市 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化,請(qǐng)及時(shí)變更,防止失效
權(quán)利人三星顯示有限公司當(dāng)前權(quán)利人三星顯示有限公司
發(fā)明人李賢貞;金榮國;徐美善
代理機(jī)構(gòu)北京鉦霖知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司代理人李英艷;馮志云
摘要
本公開涉及一種薄膜晶體管基板和一種包括薄膜晶體管基板的顯示設(shè)備,所述顯示設(shè)備包括位于基板上的第一薄膜晶體管。所述第一薄膜晶體管包括:第一半導(dǎo)體層,具有第一溝道區(qū)、第一源極區(qū)和第一漏極區(qū);第一下柵電極,位于所述基板與所述第一半導(dǎo)體層之間;第一上柵電極,位于所述第一半導(dǎo)體層上并與所述第一溝道區(qū)交疊;以及第一電極層,位于所述第一上柵電極上并電連接到所述第一源極區(qū)和所述第一漏極區(qū)中的至少一者。所述第一下柵電極與所述第一溝道區(qū)和所述第一漏極區(qū)交疊。

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