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一種硅雪崩光電探測(cè)芯片及其制備方法

發(fā)明專(zhuān)利有效專(zhuān)利
  • 申請(qǐng)?zhí)枺?/span>
    CN201811581513.0
  • IPC分類(lèi)號(hào)：H01L31/0352;H01L31/107;H01L31/18
  • 申請(qǐng)日期：
    2018-12-24
  • 申請(qǐng)人：
    華中科技大學(xué)
著錄項(xiàng)信息
專(zhuān)利名稱(chēng)一種硅雪崩光電探測(cè)芯片及其制備方法
申請(qǐng)?zhí)?/td>CN201811581513.0申請(qǐng)日期2018-12-24
法律狀態(tài)授權(quán)申報(bào)國(guó)家中國(guó)
公開(kāi)/公告日2019-05-03公開(kāi)/公告號(hào)CN109713062A
優(yōu)先權(quán)暫無(wú)優(yōu)先權(quán)號(hào)暫無(wú)
主分類(lèi)號(hào)H01L31/0352
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IPC結(jié)構(gòu)圖譜：
IPC分類(lèi)號(hào)H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;0;7;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分類(lèi)表>
申請(qǐng)人華中科技大學(xué)申請(qǐng)人地址
湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號(hào) 變更 專(zhuān)利地址、主體等相關(guān)變化，請(qǐng)及時(shí)變更，防止失效
權(quán)利人華中科技大學(xué)當(dāng)前權(quán)利人華中科技大學(xué)
發(fā)明人汪學(xué)方;許劍鋒;楊玉懷;張貽政;陸栩杰;任振洲
代理機(jī)構(gòu)華中科技大學(xué)專(zhuān)利中心代理人尚威;李智
摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種硅雪崩光電探測(cè)芯片及其制備方法，屬于光電探測(cè)領(lǐng)域。該方法包括下列步驟：(a)對(duì)P型硅上表面進(jìn)行N型摻雜或外延，形成深N阱；(b)在深N阱上表面進(jìn)行N型摻雜或外延，形成N阱；(c)在N阱上表面局部進(jìn)行P型摻雜形成保護(hù)環(huán)，將N阱分為位于保護(hù)環(huán)內(nèi)外兩側(cè)的N型硅；(d)對(duì)保護(hù)環(huán)外側(cè)的N型硅表面外側(cè)，以及保護(hù)環(huán)與保護(hù)環(huán)外側(cè)的N型硅交界處表面，分別進(jìn)行刻蝕形成淺槽，并用絕緣介質(zhì)填充淺槽；(e)對(duì)保護(hù)環(huán)以及保護(hù)環(huán)內(nèi)側(cè)的N型硅的上表面均進(jìn)行P型摻雜形成二極管的P端；保護(hù)環(huán)摻雜濃度低于P端摻雜濃度；(f)對(duì)保護(hù)環(huán)外側(cè)的N型硅上表面進(jìn)行N型摻雜形成二極管的N端，P端和N端被步驟(d)的淺槽隔離。

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