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低功耗相變存儲器用環(huán)形電極結(jié)構(gòu)及制備方法

發(fā)明專利有效專利

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CN201210154750.5
IPC分類號：H01L45/00
申請日期：
2012-05-16
申請人：
中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所

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著錄項信息

專利名稱	低功耗相變存儲器用環(huán)形電極結(jié)構(gòu)及制備方法
申請?zhí)?/td>	CN201210154750.5	申請日期	2012-05-16
法律狀態(tài)	授權(quán)	申報國家	中國
公開/公告日	2012-09-12	公開/公告號	CN102664236A
優(yōu)先權(quán)	暫無	優(yōu)先權(quán)號	暫無
主分類號	H01L45/00 ? IPC結(jié)構(gòu)圖譜： H 電學 H9 電學 H01 基本電氣元件 H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導管、諧振器或波導型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機電諧振器入H03H；揚聲器、送話器、留聲機拾音器或類似的聲機電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設(shè)備的外殼或結(jié)構(gòu)零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應(yīng)用的電路中半導體器件的使用見該應(yīng)用的小類）〔2〕 H01L45/00 無電位躍變勢壘或表面勢壘的，專門適用于整流、放大、振蕩或切換的固態(tài)器件，例如介電三極管；奧氏效應(yīng)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的方法或設(shè)備（由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件組成的器件入H01L 27/00；應(yīng)用超導電性或高導性的器件入H01L 39/00；壓電器件入H01L 41/00；體負阻效應(yīng)器件入H01L 47/00）〔2〕	IPC分類號	H;0;1;L;4;5;/;0;0查看分類表>
申請人	中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所	申請人地址	上海市長寧區(qū)長寧路865號變更專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人	中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所	當前權(quán)利人	中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
發(fā)明人	饒峰;任堃;宋志棠
代理機構(gòu)	上海光華專利事務(wù)所	代理人	李儀萍

摘要

本發(fā)明提供一種低功耗相變存儲器用環(huán)形電極結(jié)構(gòu)及制備方法，所述環(huán)形電極結(jié)構(gòu)包括：基底，具有金屬層及絕緣層，絕緣層中具有一深度直達金屬層的凹槽；鎢材料，填充于凹槽內(nèi)，其厚度小于凹槽的深度至一預設(shè)范圍值，以使凹槽形成一底部為鎢材料、側(cè)壁為絕緣層的淺槽結(jié)構(gòu)；導電薄膜材料，沉積于淺槽結(jié)構(gòu)的表面，形成環(huán)形電極結(jié)構(gòu)；絕熱材料，填充于環(huán)形電極結(jié)構(gòu)中并與絕緣層的上表面共平面；相變材料，覆蓋于絕緣層的上表面及絕熱材料上。本發(fā)明提供的低功耗相變存儲器用環(huán)形電極結(jié)構(gòu)及制備方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)中相變存儲器的相變材料中能量利用率低以及現(xiàn)有提高器件熱效率的手段與傳統(tǒng)的CMOS工藝不兼容等問題。

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