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半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

發(fā)明專(zhuān)利有效專(zhuān)利
  • 申請(qǐng)?zhí)枺?/span>
    CN202110357016.8
  • IPC分類(lèi)號(hào)：H01L21/768;H01L29/78;H01L21/336
  • 申請(qǐng)日期：
    2021-04-01
  • 申請(qǐng)人：
    臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
著錄項(xiàng)信息
專(zhuān)利名稱(chēng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法
申請(qǐng)?zhí)?/td>CN202110357016.8申請(qǐng)日期2021-04-01
法律狀態(tài)公開(kāi)申報(bào)國(guó)家中國(guó)
公開(kāi)/公告日2021-11-16公開(kāi)/公告號(hào)CN113658907A
優(yōu)先權(quán)暫無(wú)優(yōu)先權(quán)號(hào)暫無(wú)
主分類(lèi)號(hào)H01L21/768
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IPC結(jié)構(gòu)圖譜：
IPC分類(lèi)號(hào)H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分類(lèi)表>
申請(qǐng)人臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司申請(qǐng)人地址
中國(guó)臺(tái)灣新竹市 變更 專(zhuān)利地址、主體等相關(guān)變化，請(qǐng)及時(shí)變更，防止失效
權(quán)利人臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司當(dāng)前權(quán)利人臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
發(fā)明人諶俊元;蘇煥杰;莊正吉;王志豪
代理機(jī)構(gòu)隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司代理人黃艷
摘要
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供鰭狀物、隔離結(jié)構(gòu)、以及第一源極/漏極結(jié)構(gòu)與第二源極/漏極結(jié)構(gòu)位于鰭狀物上；形成蝕刻遮罩以覆蓋第一源極/漏極結(jié)構(gòu)之下的鰭狀物的第一部分，并露出鰭狀物的第二部分；移除鰭狀物的該第二部分，以形成第一溝槽；將第一介電結(jié)構(gòu)填入第一溝槽；移除蝕刻遮罩；施加蝕刻制程，以移除鰭狀物的第一部分并使第一源極/漏極結(jié)構(gòu)部分地凹陷。蝕刻制程包括等向蝕刻，其調(diào)整以對(duì)第一源極/漏極結(jié)構(gòu)的材料具有選擇性而對(duì)隔離結(jié)構(gòu)與第一介電結(jié)構(gòu)的材料不具有選擇性，以形成第二溝槽于第一源極/漏極結(jié)構(gòu)之下，且第二溝槽的間隙位于第一源極/漏極結(jié)構(gòu)的下表面與隔離結(jié)構(gòu)的上表面之間。方法還包括形成通孔于第二溝槽中。

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