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高壓晶閘管及其制造方法

發(fā)明專利有效專利
  • 申請(qǐng)?zhí)枺?/span>
    CN200810047773.X
  • IPC分類號(hào)：H01L21/332;H01L29/74
  • 申請(qǐng)日期：
    2008-05-13
  • 申請(qǐng)人：
    楊景仁
著錄項(xiàng)信息
專利名稱高壓晶閘管及其制造方法
申請(qǐng)?zhí)?/td>CN200810047773.X申請(qǐng)日期2008-05-13
法律狀態(tài)暫無(wú)申報(bào)國(guó)家暫無(wú)
公開(kāi)/公告日2009-11-18公開(kāi)/公告號(hào)CN101582380
優(yōu)先權(quán)暫無(wú)優(yōu)先權(quán)號(hào)暫無(wú)
主分類號(hào)H01L21/332
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IPC結(jié)構(gòu)圖譜：
IPC分類號(hào)H;0;1;L;2;1;/;3;3;2;;;H;0;1;L;2;9;/;7;4查看分類表>
申請(qǐng)人楊景仁申請(qǐng)人地址
湖北省襄樊市高新區(qū)團(tuán)山鎮(zhèn)高新區(qū)111信箱硅海電子 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化，請(qǐng)及時(shí)變更，防止失效
權(quán)利人楊景仁當(dāng)前權(quán)利人楊景仁
發(fā)明人楊景仁
代理機(jī)構(gòu)襄陽(yáng)中天信誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所代理人何靜月
摘要
一種高壓晶閘管及其制造方法，在N型硅片上擴(kuò)散P型雜質(zhì)，形成結(jié)深淺濃度低的相同的P1區(qū)和P2區(qū)，表面濃度10～15mv(1mA測(cè)試電流，下同)，結(jié)深90～100μm；在P1區(qū)表面涂P型雜質(zhì)源再擴(kuò)散，形成結(jié)深較淺、濃度較低的P2區(qū)和結(jié)深深、濃度高的P1區(qū)，P2表面濃度8～10mv，結(jié)深110～130μm；P1表面濃度0.1～3mv，結(jié)深120～145μm；在P2區(qū)擴(kuò)散N型雜質(zhì)形成N2層，N2表面濃度0.08～0.11mv，結(jié)深15～22μm；在P1和N2表面制造歐姆接觸層形成電極。通過(guò)制造不對(duì)稱的P1區(qū)和P2區(qū)，達(dá)到協(xié)調(diào)正反向阻斷電壓對(duì)稱性和降低通態(tài)電壓效果，元件通態(tài)電壓下降10～15％。

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