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*來源于國家知識產(chǎn)權(quán)局數(shù)據(jù)，僅供參考，實際以國家知識產(chǎn)權(quán)局展示為準

一種溝槽柵型IGBT芯片及其制作方法

發(fā)明專利有效專利

申請?zhí)枺?/span>
CN201510766095.2
IPC分類號：H01L29/423;H01L21/336
申請日期：
2015-11-10
申請人：
株洲南車時代電氣股份有限公司

基礎(chǔ)信息

權(quán)利要求

說明書

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法律信息

引證文獻

著錄項信息

專利名稱	一種溝槽柵型IGBT芯片及其制作方法
申請?zhí)?/td>	CN201510766095.2	申請日期	2015-11-10
法律狀態(tài)	暫無	申報國家	中國
公開/公告日	2016-03-02	公開/公告號	CN105374859A
優(yōu)先權(quán)	暫無	優(yōu)先權(quán)號	暫無
主分類號	H01L29/423 ? IPC結(jié)構(gòu)圖譜： H 電學 H9 電學 H01 基本電氣元件 H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導管、諧振器或波導型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機電諧振器入H03H；揚聲器、送話器、留聲機拾音器或類似的聲機電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設備的外殼或結(jié)構(gòu)零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應用的電路中半導體器件的使用見該應用的小類）〔2〕 H01L29/00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05優(yōu)先；除半導體或其電極之外的零部件入H01L 23/00；由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件組成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/40 按其電極特征區(qū)分的〔2〕 H01L29/41 以其形狀、相對尺寸或位置為特征的〔6〕 H01L29/423 不通有待整流、放大或切換電流的〔6〕	IPC分類號	H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分類表>
申請人	株洲南車時代電氣股份有限公司	申請人地址	湖南省株洲市石峰區(qū)時代路169號變更專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人	株洲中車時代半導體有限公司,株洲中車時代電氣股份有限公司	當前權(quán)利人	株洲中車時代半導體有限公司,株洲中車時代電氣股份有限公司
發(fā)明人	劉國友;覃榮震;黃建偉;羅海輝;戴小平
代理機構(gòu)	北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司	代理人	王寶筠

摘要

本發(fā)明公開了一種溝槽柵型IGBT芯片及其制作方法，位于所述述基區(qū)背離所述漂移區(qū)一側(cè)、且沿第二方向間隔設置的多個第一輔助溝槽和多個第二輔助溝槽，所述第一輔助溝槽和第二輔助溝槽均延伸至所述漂移區(qū)，所述第一輔助溝槽與所述第一常規(guī)溝槽相連通，所述第二輔助溝槽與所述第二常規(guī)溝槽相連通。由上述內(nèi)容可知，本發(fā)明提供的技術(shù)方案，通過在第一常規(guī)溝槽和第二常規(guī)溝槽之間設置第一輔助溝槽和第二輔助溝槽，且第一輔助溝槽與第一常規(guī)溝槽相連通，第二輔助溝槽與第二常規(guī)溝槽相連通，以間接縮短第一常規(guī)溝槽和第二常規(guī)溝槽之間的間距，提高了溝槽柵型IGBT芯片的關(guān)斷速度，提高了溝槽柵型IGBT芯片的性能。

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