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磁場裝置及單晶生長設備

實用新型專利有效專利
  • 申請?zhí)枺?/span>
    CN201720257653.7
  • IPC分類號：C30B30/04;C30B15/00;C30B29/06
  • 申請日期：
    2017-03-16
  • 申請人：
    隆基綠能科技股份有限公司
著錄項信息
專利名稱磁場裝置及單晶生長設備
申請?zhí)?/td>CN201720257653.7申請日期2017-03-16
法律狀態(tài)暫無申報國家中國
公開/公告日公開/公告號
優(yōu)先權暫無優(yōu)先權號暫無
主分類號C30B30/04IPC分類號C;3;0;B;3;0;/;0;4;;;C;3;0;B;1;5;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分類表>
申請人隆基綠能科技股份有限公司申請人地址
云南省麗江市華坪縣石龍壩鎮(zhèn)清潔載能產(chǎn)業(yè)園區(qū) 變更 專利地址、主體等相關變化，請及時變更，防止失效
權利人華坪隆基硅材料有限公司當前權利人華坪隆基硅材料有限公司
發(fā)明人趙磊
代理機構西安弘理專利事務所代理人鐘歡
摘要
本實用新型公開的磁場裝置，用于在單晶爐中產(chǎn)生磁場，其套設于單晶爐外，磁場裝置與單晶爐相對的方向具有貫穿磁場裝置的取光孔，磁場裝置還包括安裝架和測溫儀，安裝架固定設置于取光孔中，測溫儀通過安裝架安裝于取光孔內。本實用新型公開的單晶生長設備，包括單晶爐和如上所述的磁場裝置，磁場裝置套設于單晶爐外。本實用新型的磁場裝置套設于單晶爐外側，縮短了磁場裝置與單晶爐的間距，避免了磁場強度的損失，借助安裝架可牢固地設置測溫儀。本實用新型的單晶生長設備在上述磁場裝置的作用下，能有效地抑制熔體對流，降低固液界面溫度波動；單晶爐的通孔與磁場裝置的取光孔相連通，借助測溫儀能實現(xiàn)單晶生長設備對應處的溫度測量。

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