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一種低劑量注氧隔離技術(shù)制備絕緣體上硅的方法

發(fā)明專利有效專利
  • 申請?zhí)枺?/span>
    CN02110920.6
  • IPC分類號：--
  • 申請日期：
    2002-02-28
  • 申請人：
    中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
著錄項信息
專利名稱一種低劑量注氧隔離技術(shù)制備絕緣體上硅的方法
申請?zhí)?/td>CN02110920.6申請日期2002-02-28
法律狀態(tài)暫無申報國家中國
公開/公告日2002-12-04公開/公告號CN1383189
優(yōu)先權(quán)暫無優(yōu)先權(quán)號暫無
主分類號暫無IPC分類號暫無查看分類表>
申請人中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所申請人地址
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權(quán)利人上海新傲科技股份有限公司當前權(quán)利人上海新傲科技股份有限公司
發(fā)明人陳猛;王湘;王曦;陳靜;林梓鑫
代理機構(gòu)上海智信專利代理有限公司代理人潘振甦
摘要
本發(fā)明涉及一種低劑量注氧隔離技術(shù)制備絕緣層上硅的方法，其特征在于，(1)再在30-210 keV能量下氧離子，注入劑量根據(jù)劑量與能量的匹配關(guān)系選擇，使制備的SOI結(jié)構(gòu)的頂層硅中線位錯密度和埋層中針孔密度最低；(2)注入完成后，退火氣氛是高純氬氣中含有一定濃度高純氧氣。600℃保持30分鐘，1000℃保持1小時，在1300～1350℃經(jīng)過5～10小時保溫；(3)退火降溫制度是1200℃以上降溫速率為15℃/min，1200～1000℃為20℃/min，1000～700℃為30℃/min。注入劑量與能量配匹關(guān)系為D＝(0.025～0.035)×E+(0.25～0.35)，用本發(fā)明提供的方法制備材料頂層硅缺陷密度低、埋層針孔密度小，從而提高了低劑量SIMOX材料質(zhì)量和產(chǎn)量。

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