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一種高反壓肖特基二極管正面金屬層的濕法腐蝕方法

發(fā)明專(zhuān)利有效專(zhuān)利
  • 申請(qǐng)?zhí)枺?/span>
    CN201210382168.4
  • IPC分類(lèi)號(hào)：H01L21/329;H01L21/28
  • 申請(qǐng)日期：
    2012-10-11
  • 申請(qǐng)人：
    杭州立昂微電子股份有限公司
著錄項(xiàng)信息
專(zhuān)利名稱(chēng)一種高反壓肖特基二極管正面金屬層的濕法腐蝕方法
申請(qǐng)?zhí)?/td>CN201210382168.4申請(qǐng)日期2012-10-11
法律狀態(tài)授權(quán)申報(bào)國(guó)家中國(guó)
公開(kāi)/公告日2013-02-06公開(kāi)/公告號(hào)CN102915927A
優(yōu)先權(quán)暫無(wú)優(yōu)先權(quán)號(hào)暫無(wú)
主分類(lèi)號(hào)H01L21/329
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IPC結(jié)構(gòu)圖譜：
IPC分類(lèi)號(hào)H;0;1;L;2;1;/;3;2;9;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分類(lèi)表>
申請(qǐng)人杭州立昂微電子股份有限公司申請(qǐng)人地址
浙江省杭州市下沙經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)20號(hào)大街199號(hào) 變更 專(zhuān)利地址、主體等相關(guān)變化，請(qǐng)及時(shí)變更，防止失效
權(quán)利人杭州立昂微電子股份有限公司當(dāng)前權(quán)利人杭州立昂微電子股份有限公司
發(fā)明人王海峰
代理機(jī)構(gòu)杭州杭誠(chéng)專(zhuān)利事務(wù)所有限公司代理人尉偉敏
摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種高反壓肖特基二極管正面金屬層的濕法腐蝕方法，解決現(xiàn)有技術(shù)的濕法腐蝕方法所存在的步驟多，操作復(fù)雜，不能有效兼顧底層金屬層Ti的過(guò)腐蝕與殘留，易造成高反壓肖特基二極管的反向漏電及早期失效，二極管管芯的襯底表面會(huì)殘留大量的金屬離子的問(wèn)題，本發(fā)明包括以下步驟：一次堅(jiān)膜→Ni/Ag腐蝕→清洗→甩干→二次堅(jiān)膜→Ti腐蝕→清洗→EDTA溶液腐蝕→清洗→甩干→去除光刻膠。本發(fā)明工藝步驟簡(jiǎn)單，便于操作，腐蝕時(shí)能較好地控制腐蝕速率，且能有效兼顧底層金屬層Ti嚴(yán)重的過(guò)腐蝕與殘留，同時(shí)能去除殘留在二極管管芯的襯底表面的金屬離子，避免金屬離子對(duì)高反壓肖特基二極管的電參數(shù)特性產(chǎn)生影響。

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