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發(fā)光裝置實用新型專利
申請?zhí)枺篊N201520083647.5
LOC分類號:H01L33/62
IPC結構圖譜：
- H電學
- H9電學
- H01基本電氣元件
- H01L半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導管、諧振器或波導型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機電諧振器入H03H；揚聲器、送話器、留聲機拾音器或類似的聲機電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設備的外殼或結構零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應用的電路中半導體器件的使用見該應用的小類）〔2〕
- H01L33/00至少有一個電位躍變勢壘或表面勢壘的專門適用于光發(fā)射的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或設備；這些半導體器件的零部件（H01L 51/00優(yōu)先；由在一個公共襯底中或其上形成有多個半導體組件并包括具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，專門適用于光發(fā)射的器件入H01L 27/15；半導體激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕
- H01L33/48以半導體封裝體為特征的〔2010.01〕
- H01L33/62向該半導體導入或自該半導體導出電流的裝置，例如引線框架、焊線或焊球〔2010.01〕
