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晶圓聚焦補償?shù)钠毓夥椒ㄅc裝置

發(fā)明專利有效專利

申請?zhí)枺?/span>
CN201510192269.9
IPC分類號：G03F7/20;G03F7/207
申請日期：
2015-04-20
申請人：
中芯國際集成電路制造（上海）有限公司

基礎(chǔ)信息

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法律信息

引證文獻

著錄項信息

專利名稱	晶圓聚焦補償?shù)钠毓夥椒ㄅc裝置
申請?zhí)?/td>	CN201510192269.9	申請日期	2015-04-20
法律狀態(tài)	授權(quán)	申報國家	中國
公開/公告日	2016-11-23	公開/公告號	CN106154763A
優(yōu)先權(quán)	暫無	優(yōu)先權(quán)號	暫無
主分類號	G03F7/20 ? IPC結(jié)構(gòu)圖譜： G 物理 G0 儀器 G03 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕 G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設(shè)備（照相排版裝置入B41B；為攝影用的感光材料或處理入G03C；電記錄、感光層或處理入G03G） G03F7/00 圖紋面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工藝；圖紋面照相制版用的材料，如：含光致抗蝕劑的材料；圖紋面照相制版的專用設(shè)備（用于特殊工藝的光致抗蝕劑結(jié)構(gòu)見相關(guān)的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L 21/00，H05K）〔3，5〕 G03F7/20 曝光及其設(shè)備（復(fù)制用照相印制設(shè)備入G03B 27/00）〔4〕	IPC分類號	G;0;3;F;7;/;2;0;;;G;0;3;F;7;/;2;0;7查看分類表>
申請人	中芯國際集成電路制造（上海）有限公司	申請人地址	上海市浦東新區(qū)張江路18號變更專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人	中芯國際集成電路制造（上海）有限公司	當前權(quán)利人	中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
發(fā)明人	解立濤;張宏偉
代理機構(gòu)	北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司	代理人	趙囡囡;梁文惠

摘要

本發(fā)明提供了一種晶圓聚焦補償?shù)钠毓夥椒ㄅc裝置。該晶圓聚焦補償?shù)钠毓夥椒òǎ翰襟ES1，獲取晶圓中各芯片的中心距晶圓圓心的距離Rn，n為自然數(shù)；步驟S2，根據(jù)聚焦補償公式Fn＝A×Rn計算各芯片的聚焦補償值Fn，A為補償系數(shù)；以及步驟S3，根據(jù)各聚焦補償值對各芯片進行曝光。該曝光方法對各個芯片的聚焦補償值Fn進行計算，根據(jù)計算出來的Fn，將各芯片都置于曝光單元的最佳焦距的位置，進而使得最終各芯片上形成的圖形效果較好，避免了對晶圓邊緣所有的芯片都按照同一個聚焦補償值來進行曝光，進而避免了有些芯片的圖形出現(xiàn)缺陷的問題。

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