首頁(yè)專利查詢專利詳情

*來源于國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局?jǐn)?shù)據(jù)，僅供參考，實(shí)際以國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局展示為準(zhǔn)

一種深紫外發(fā)光二極管及其發(fā)光裝置

發(fā)明專利有效專利

申請(qǐng)?zhí)枺?/span>
CN202110727181.8
IPC分類號(hào)：H01L33/62;H01L33/36;H01L33/20
申請(qǐng)日期：
2021-06-29
申請(qǐng)人：
廈門三安光電有限公司

基礎(chǔ)信息

權(quán)利要求

說明書

PDF全文

法律信息

引證文獻(xiàn)

著錄項(xiàng)信息

專利名稱	一種深紫外發(fā)光二極管及其發(fā)光裝置
申請(qǐng)?zhí)?/td>	CN202110727181.8	申請(qǐng)日期	2021-06-29
法律狀態(tài)	實(shí)質(zhì)審查	申報(bào)國(guó)家	中國(guó)
公開/公告日	2021-09-28	公開/公告號(hào)	CN113451493A
優(yōu)先權(quán)	暫無	優(yōu)先權(quán)號(hào)	暫無
主分類號(hào)	H01L33/62 ? IPC結(jié)構(gòu)圖譜： H 電學(xué) H9 電學(xué) H01 基本電氣元件 H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導(dǎo)體器件的測(cè)量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導(dǎo)管、諧振器或波導(dǎo)型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機(jī)電諧振器入H03H；揚(yáng)聲器、送話器、留聲機(jī)拾音器或類似的聲機(jī)電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設(shè)備的外殼或結(jié)構(gòu)零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應(yīng)用的電路中半導(dǎo)體器件的使用見該應(yīng)用的小類）〔2〕 H01L33/00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專門適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件（H01L 51/00優(yōu)先；由在一個(gè)公共襯底中或其上形成有多個(gè)半導(dǎo)體組件并包括具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，專門適用于光發(fā)射的器件入H01L 27/15；半導(dǎo)體激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半導(dǎo)體封裝體為特征的〔2010.01〕 H01L33/62 向該半導(dǎo)體導(dǎo)入或自該半導(dǎo)體導(dǎo)出電流的裝置，例如引線框架、焊線或焊球〔2010.01〕	IPC分類號(hào)	H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;3;3;/;3;6;;;H;0;1;L;3;3;/;2;0查看分類表>
申請(qǐng)人	廈門三安光電有限公司	申請(qǐng)人地址	福建省廈門市同安區(qū)洪塘鎮(zhèn)鎮(zhèn)民安大道841-899號(hào) 變更專利地址、主體等相關(guān)變化，請(qǐng)及時(shí)變更，防止失效
權(quán)利人	廈門三安光電有限公司	當(dāng)前權(quán)利人	廈門三安光電有限公司
發(fā)明人	江賓;林素慧;彭康偉;臧雅姝;曾明俊;曾煒竣;陳思河
代理機(jī)構(gòu)	暫無	代理人	暫無

摘要

本發(fā)明提出了一種深紫外發(fā)光二極管及其發(fā)光裝置，具有襯底、制作在襯底上的半導(dǎo)體層序列，襯底的厚度為300μm至900μm，至少部分第一金屬接觸電極比有源層更靠近發(fā)光二極管邊緣，即至少部分第一金屬接觸電極位于激光切割面和有源層之間，有源層與激光切割面最近的距離為30μm至100μm，第一金屬接觸電極和第二焊盤設(shè)置在豎直投影面上不重合，第二焊盤設(shè)置為U型，P焊盤半環(huán)繞的設(shè)置在第一金屬接觸電極外，兩側(cè)的部分第一金屬接觸電極與第二焊盤電極平行設(shè)置，第一金屬接觸電極的一端設(shè)置在第二焊盤開口內(nèi)，解決深紫外產(chǎn)品有源層容易被激光破壞的問題，降低激光對(duì)發(fā)光二極管特別是有源層造成的影響，同時(shí)提升封裝件中發(fā)光二極管的推力。

我瀏覽過的專利

專利服務(wù)由北京酷愛智慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理公司提供